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J-GLOBAL ID：200902202052188850   整理番号：04A0601541

フォトリフレクタンスによる強誘電性薄膜/SiO₂/Si構造の特性評価

Characterization of Ferroelectric Thin Film/SiO₂/Si Structure by Photoreflectance

著者 (5件)： SOHGAWA M (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KANDA H (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KANASHIMA T (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  FUJIMOTO A (Wakayama National Coll. Technol., Wakayama, JPN) ,  OKUYAMA M (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Ferroelectrics  (Ferroelectrics)
巻： 303  ページ： 717-721  発行年： 2004年 
JST資料番号： D0777A  ISSN： 0015-0193  CODEN： FEROA8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SrBi₂Ta₂...

シソーラス用語： *強誘電体 ,...

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分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  その他の半導体を含む系の接触  (BM03086O)

タイトルに関連する用語 (5件)： フォトリフレクタンス ,  強誘電性薄膜 ,  SiO2 ,  Si ,  特性評価