パルスレーザ蒸着によるAl<sub>2</sub>O<sub>3</sub>(0001)基板上の平坦MgO(111)膜の作製

SUSAKI Tomofumi; SUSAKI Tomofumi; KUMADA Sho; KATASE Takayoshi; MATSUZAKI Kosuke; MIYAKAWA Masashi; HOSONO Hideo

文献

J-GLOBAL ID：200902202543197991 整理番号：09A1035467

パルスレーザ蒸着によるAl₂O₃(0001)基板上の平坦MgO(111)膜の作製

Fabrication of Flat MgO(111) Films on Al₂O₃(0001) Substrates by Pulsed Laser Deposition

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著者 (7件)： , , , , , ,
資料名：
巻： 2 号： 9 ページ： 091403.1-091403.3 発行年： 2009年09月25日
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

MgO(111)の強発散性静電ポテンシャルにも拘らず,パルスレーザ蒸着によるα-Al₂O₃(0001)基板上の広範囲の蒸着条件(基板温度400~800°C,酸素分圧10^-4~10⁰Pa)下でエピタキシャルMgO(111)薄膜が成長することを発見した。得られた薄膜の表面はステップ及びテラス構造を示し,80nmの膜厚でもα-Al₂O₃(0001)の表面を反映して平方自乗平均粗さは0.62nmと小さかった。本結果は通常のパルスレーザ蒸着技術により作製した平坦MgO(111)膜を用いて種々の人工酸化物構造を作製する可能性を示す。(翻訳著者抄録)

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酸化物薄膜

引用文献 (17件)：

RAMESH, R. MRS Bull. 2008, 33, 1006
IMADA, M. Rev. Mod. Phys. 1998, 70, 1039
ROESSLER, D. M. Phys. Rev. 1967, 159, 733
SCHINTKE, S. Phys. Rev. Lett. 2001, 87, 276801
HARRISON, W. A. Phys. Rev. B. 1978, 18, 4402

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パルスレーザ蒸着によるAl2O3(0001)基板上の平坦MgO(111)膜の作製

パルスレーザ蒸着によるAl₂O₃(0001)基板上の平坦MgO(111)膜の作製