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J-GLOBAL ID：200902205495338650   整理番号：05A0661533

堆積金属酸化法によるHfO₂/Si構造の作成とその高分解能RBS評価

Fabrication of HfO₂/Si structure and its characterization using HR-RBS

著者 (4件)： 上野智雄 (東京農工大 工) ,  長里喜隆 (東京農工大 工) ,  小林晃子 (東京農工大 工) ,  入野真 (東京農工大 工)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 105  号： 108(SDM2005 58-69)  ページ： 67-72  発行年： 2005年06月02日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： high-K/Si構造の作成法として堆積金属酸化法を提案する...

シソーラス用語： *半導体素子 ,...
準シソーラス用語： RBS分光法 ,...

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分類 (2件)： 固体デバイス一般  (NC03010Z) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (8件)：

• 岩井洋. VLSI Report. 2001, 13-28
• 鳥海明. 電子情報通信学会論文誌. 2001, 84, 2, 76-89
• 丹羽正昭. 応用物理. 2003, 73, 9
• NAGASATO, Yoshitaka. Jpn. J. Appl. Phys. 2005, 44, 5
• NAGASATO, Yoshitaka. Jpn. J. Appl. Phys. 2005, 44, 1665

タイトルに関連する用語 (6件)： 堆積 ,  酸化 ,  HfO2 ,  Si ,  高分解能 ,  評価