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J-GLOBAL ID：200902262024223899   整理番号：05A0494573

ゲート誘電体用のHfO₂薄膜を作製するための新しいプロセス

Novel Fabrication Process for HfO₂ Thin Film for Gate Dielectric

著者 (2件)： NAGASATO Yoshitaka (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  UENO Tomo (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 44  号： 4A  ページ： 1665-1668  発行年： 2005年04月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高誘電率(ハイケー)誘電体/Siから成る構造を作製するための...

シソーラス用語： *誘電体薄膜 ,...

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分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

引用文献 (8件)：

• 1) M.-H. Cho, Y. S. Roh, C. N. Whang, K. Jeong, H. J. Choi, S. W. Nam, D.-H. Ko, J. H. Lee, N. I. Lee and K. Fujihara: Appl. Phys. Lett. 81 (2002) 1071.
• 2) G. D. Wink, R. M. Wallace and J. M. Anthony: J. Appl. Phys. 87 (2000) 484.
• 3) B. K. Park, M. Cho and C. S. Hwang: Appl. Phys. Lett. 80 (2002) 2368.
• 4) M.-H. Cho, Y. S. Roh, C. N. Whang, K. Jeong, S. W. Nahm, D.-H. Ko, J. H. Lee, N. I. Lee and K. Fujihara: Appl. Phys. Lett. 81 (2002) 472.
• 5) S. Sayan, E. Garfunkel and S. Suzer: Appl. Phys. Lett. 80 (2002) 2135.

タイトルに関連する用語 (5件)： ゲート誘電体 ,  HfO2 ,  薄膜 ,  作製 ,  プロセス