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J-GLOBAL ID：200902209075735691 整理番号：09A0587813

半-エッチングMesaと高密度量子ドットによる1.3μm 分布帰還型レーザ

1.3μm Distributed Feedback Laser with Half-Etching Mesa and High-Density Quantum Dots

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資料名：
巻： 48 号： 5,Issue 1 ページ： 050203.1-050203.3 発行年： 2009年05月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

新しい分布帰還(DFB)構造の量子ドット・レーザ,すなわち,垂直格子構造を採用し,再成長工程を必要としない半-エッチングMesa(HEM)DFBレーザを提案する。HEM構造の特徴は,量子ドット(QDs)活性層における大きい散乱損失を抑制することによって達成した低結合係数と低閾値電流である。活性層の中心までだけ,垂直格子をエッチングすることによってこの構造を実現する。高密度で高一様性QDsを用いて,22cm^-1の低い結合係数と,35mAの閾値電流で1.3μm放出の基本モード制御を実証した。(翻訳著者抄録)

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