文献

J-GLOBAL ID：200902212769540392   整理番号：05A0921085

InP基板上に成長した2-μm波長領域で動作するInAsSbN量子井戸半導体レーザ

InAsSbN Quantum Well Laser Diodes Operating at 2-μm-Wavelength Region Grown on InP Substrates

著者 (4件)： KAWAMURA Yuichi (Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN) ,  KAWAMURA Yuichi (JST-CREST, Saitama, JPN) ,  NAKAGAWA Tomokatsu (Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN) ,  INOUE Naohisa (Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 44  号： 33-36  ページ： L1112-L1114  発行年： 2005年09月10日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InP基板上に分子ビームエピタクシー(MBE)により2-μm...

シソーラス用語： *量子井戸レーザ ,...

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分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

引用文献 (7件)：

• 1) J. G. Kim, L. Shterengas, R. U. Martinelli, G. L. Belenky, D. Z. Garbuzov and W. K. Chan: Appl. Phys. Lett. 81 (2002) 3146.
• 2) W. Li, J. B. Heroux, H. Shao and W. I. Wang: Appl. Phys. Lett. 84 (2004) 2016.
• 3) J.-S. Wang, H.-H. Lin and L.-W. Sung: IEEE J. Quantum Electron. 34 (1998) 1959.
• 4) D.-K. Shih, H.-H. Lin and Y. H. Lin: Electron. Lett. 37 (2001) 1343.
• 5) J. Wagner, D. Serries, K. Kohler, P. Ganser, M. Maier, L. Kirste and R. Kiefer: Proc. 16th Int. Conf. Indium Phosphide and Related Materials (IEEE, Piscataway, NJ, 2004) p. 32.

タイトルに関連する用語 (5件)： InP ,  成長 ,  M波 ,  量子井戸 ,  半導体レーザ