NAITOU Y. について
Nanoelectronics Res. Inst., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Umezono 1-1-1, Tsukuba ... について
Nanoelectronics Res. Inst., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Umezono 1-1-1, Tsukuba ... について
OGISO H. について
Advanced Manufacturing Res. Inst., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-2-1 Namiki ... について
KAMIYAMA S. について
Semiconductor Leading Edge Technologies (Selete), Inc., 16-1, Onogawa, Tsukuba, Ibaraki 305-8569, JPN について
NARA Y. について
Semiconductor Leading Edge Technologies (Selete), Inc., 16-1, Onogawa, Tsukuba, Ibaraki 305-8569, JPN について
NAKAMURA K. について
Semiconductor Leading Edge Technologies (Selete), Inc., 16-1, Onogawa, Tsukuba, Ibaraki 305-8569, JPN について
WATANABE H. について
Dep. of Precision Sci. and Technol., Graduate School of Engineering, Osaka Univ., 2-1 Yamadaoka, Suita, Osaka ... について
YASUTAKE K. について
Dep. of Precision Sci. and Technol., Graduate School of Engineering, Osaka Univ., 2-1 Yamadaoka, Suita, Osaka ... について
Applied Physics Letters について
MOSFET について
走査型静電容量顕微鏡 について
誘電体一般 について
酸化物薄膜 について
誘電体測定技術・装置 について
HF について
ゲート絶縁膜 について
走査型容量顕微鏡 について
誘電特性 について
ゆらぎ について