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J-GLOBAL ID：200902216245909319   整理番号：03A0407352

島誘起転位制御を用いた3ステップ有機金属気相エピタキシャル成長による低転位GaN/サファイアウエハの実現

Realization of Low Dislocation GaN/Sapphire Wafers by 3-Step Metalorganic Vapor Phase Epitaxial Growth with Island Induced Dislocation Control

著者 (3件)： FUJIKURA H (Hitachi Cable Ltd., Ibaraki, JPN) ,  IIZUKA K (Hitachi Cable Ltd., Ibaraki, JPN) ,  TANAKA S (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 42  号： 5A  ページ： 2767-2772  発行年： 2003年05月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 従来の2ステップ有機金属気相エピタクシー(MOVPE)に新し...

シソーラス用語： *MOCVD ,...
準シソーラス用語： MOVPE

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

引用文献 (12件)：

• 1) S. Nakamura, T. Mukai and M. Senoh: Appl. Phys. Lett. 64 (1994) 1687.
• 2) M. A. Khan, A. R. Bhattarai, J. N. Kuznia and D. T. Olson: Appl. Phys. Lett. 63 (1993) 1214.
• 3) I. Akasaki, H. Amano, Y. Koide, K. Hiramatsu and N. Sawaki: J. Cryst. Growth 98 (1989) 209.
• 4) S. Nakamura: Jpn. J. Appl. Phys. 30 (1991) L1705.
• 5) X. H. Wu, P. Fini, E. J. Tarsa, B. Heying, S. Keller, U. K. Mishra, S. P. DenBaars and J. S. Speck: J. Cryst. Growth 189/190 (1998) 231.

タイトルに関連する用語 (8件)： 島 ,  誘起 ,  転位 ,  有機金属 ,  気相エピタキシャル成長 ,  GaN ,  サファイア ,  ウエハ