AKASAKA Yasushi について
Semiconductor Leading Edge Technol., Inc. (Selete), Ibaraki, JPN について
AKASAKA Yasushi について
Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN について
NAKAMURA Genji について
Semiconductor Leading Edge Technol., Inc. (Selete), Ibaraki, JPN について
SHIRAISHI Kenji について
Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN について
SHIRAISHI Kenji について
National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN について
SHIRAISHI Kenji について
JST-CREST, Saitama, JPN について
UMEZAWA Naoto について
National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN について
YAMABE Kikuo について
Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN について
YAMABE Kikuo について
National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN について
OGAWA Osamu について
Semiconductor Leading Edge Technol., Inc. (Selete), Ibaraki, JPN について
LEE Myoungbum について
Semiconductor Leading Edge Technol., Inc. (Selete), Ibaraki, JPN について
AMIAKA Toshio について
Semiconductor Leading Edge Technol., Inc. (Selete), Ibaraki, JPN について
KASUYA Tooru について
Semiconductor Leading Edge Technol., Inc. (Selete), Ibaraki, JPN について
WATANABE Heiji について
Osaka Univ., Osaka, JPN について
CHIKYOW Toyohiro について
National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN について
OOTSUKA Fumio について
Semiconductor Leading Edge Technol., Inc. (Selete), Ibaraki, JPN について
NARA Yasuo について
Semiconductor Leading Edge Technol., Inc. (Selete), Ibaraki, JPN について
NAKAMURA Kunio について
Semiconductor Leading Edge Technol., Inc. (Selete), Ibaraki, JPN について
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters について
仕事関数 について
障壁層 について
金属-絶縁体-半導体構造 について
電子放出一般 について
ピン止め について
拡張 について
改変 について
酸素空格子点 について
誘起 について
Fermi準位 について
模型 について