高温において原子層堆積システムにより作製された金属-絶縁体-金属キャパシタのミクロ構造変化

LIN C. H.; WANG C. C.; TZENG P. J.; LIANG C. S.; LO W. M.; LI H. Y.; LEE L. S.; LO S. C.; CHOU Y. W.; TSAI M. J.

文献

J-GLOBAL ID：200902220442452514 整理番号：06A0421098

高温において原子層堆積システムにより作製された金属-絶縁体-金属キャパシタのミクロ構造変化

Microstructural Evolution of Metal-Insulator-Metal Capacitor Prepared by Atomic-Layer-Deposition System at Elevated Temperature

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巻： 45 号： 4B ページ： 3036-3039 発行年： 2006年04月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

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その他の無機化合物の薄膜

引用文献 (12件)：

The International Technology Roadmap For Semiconductors (2004) p. 32.
C. Cho, S. Song, S. Kim, S. Jang, S. Lee, H. Kim, Y. Sung, S. Jeon, G. Teo, Y. Kim, Y. Kim, G. Jin and K. Kim: Dig. Tech. Pap. Symp. VLSI Technology, 2005, p. 36.
H. Lim, S. J. Chung, K. H. Lee, J. Lee, J. Y. Kim, C. Y. Yoo, S. T. Kim, J. I. Chung and J. T. Moon: Jpn. J. Appl. Phys.44(2005)2225
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