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J-GLOBAL ID:200902221621167284   整理番号:08A0844703

ホモエピタキシャル水平成長による原子的に平坦なダイヤモンド(111)表面の形成

Atomically flat diamond (111) surface formation by homoepitaxial lateral growth
著者 (10件):
資料名:
巻: 17  号: 7-10  ページ: 1051-1054  発行年: 2008年07月 
JST資料番号: W0498A  ISSN: 0925-9635  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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原子間力顕微鏡で面の特性化を行って,マイクロ波プラズマ増強CVD法によるダイヤ(111)膜のホモエピタキシャル成長の過程を調べた。指標としてメサ構造を使用して,(111)ダイヤの水平成長時の表面形態の発達を可視化した。水平成長は原子的に平坦な表面を形成し,(111)ダイヤの数百nm幅にわたる原子的に平坦なテラスと単一の二層ステップを示す。Copyright 2008 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
シソーラス用語:
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分類 (3件):
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その他の無機化合物の薄膜  ,  セラミック・陶磁器の製造  ,  炭素とその化合物 
タイトルに関連する用語 (5件):
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