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J-GLOBAL ID：200902221974854170   整理番号：05A0306880

電子-サイクロトロン-共鳴プラズマストリームを用いた酸化とスパッタリングにより生成させたSiO₂膜をもつ金属-酸化物-半導体ダイオード特性

Metal-Oxide-Semiconductor-Diode Characteristics with SiO₂ Films Formed by Oxidation and Sputtering Using Electron-Cyclotron-Resonance-Plasma Stream

著者 (4件)： SAITO K (NTT Microsystem Integration Lab., Kanagawa, JPN) ,  JIN Y (NTT Microsystem Integration Lab., Kanagawa, JPN) ,  ONO T (NTT Microsystem Integration Lab., Kanagawa, JPN) ,  SHIMADA M (NTT Microsystem Integration Lab., Kanagawa, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 44  号： 2  ページ： 1031-1036  発行年： 2005年02月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子-サイクロトロン-共鳴(ECR)-プラズマストリームを用...

シソーラス用語： *MOS構造 ,...
準シソーラス用語： *シリカ

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分類 (2件)： ダイオード  (NC03050R) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (19件)：

• 1) T. Fuyuki, T. Oka and H. Matsunami: Jpn. J. Appl. Phys. 33 (1994) 440.
• 2) T. Tsukuda and H. Ikoma: Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) 8.
• 3) T. Nishiguchi, H. Nonaka, S. Ichimura, Y. Morikawa, M. Kekura and M. Miyamoto: Appl. Phys. Lett. 81 (2002) 2190.
• 4) T. Ueno, A. Morioka, S. Chikamura and Y. Iwasaki: Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) L327.
• 5) M. Hirayama, K. Sekine, Y. Saito and T. Ohmi: Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet., 2000, p. 249.

タイトルに関連する用語 (10件)： 電子 ,  サイクロトロン ,  共鳴 ,  プラズマ ,  ストリーム ,  酸化 ,  スパッタリング ,  SiO2 ,  酸化物 ,  ダイオード特性