文献
J-GLOBAL ID:200902221974854170   整理番号:05A0306880

電子-サイクロトロン-共鳴プラズマストリームを用いた酸化とスパッタリングにより生成させたSiO2膜をもつ金属-酸化物-半導体ダイオード特性

Metal-Oxide-Semiconductor-Diode Characteristics with SiO2 Films Formed by Oxidation and Sputtering Using Electron-Cyclotron-Resonance-Plasma Stream
著者 (4件):
資料名:
巻: 44  号:ページ: 1031-1036  発行年: 2005年02月15日 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
電子-サイクロトロン-共鳴(ECR)-プラズマストリームを用...
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
,...
準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

   続きはJDreamIII(有料)にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=05A0306880&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=G0520B") }}
分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
ダイオード  ,  酸化物薄膜 

前のページに戻る