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J-GLOBAL ID：200902222109634381   整理番号：07A1007409

(411)A InGaAs/InAlAs変調ドープ歪量子井戸構造における界面ラフネスの異方性評価

著者 (6件)： 北田貴弘 (徳島大 大学院) ,  楠真一郎 (大阪大 大学院) ,  木内将登 (徳島大 大学院) ,  森田健 (徳島大 大学院) ,  下村哲 (愛媛大 大学院) ,  井須俊郎 (徳島大 大学院)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 68th  号： 1  ページ： 345  発行年： 2007年09月04日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *歪層量子井戸 ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (8件)： InGaAs ,  InAlAs ,  変調ドープ ,  歪 ,  量子井戸 ,  面ラフネス ,  異方性 ,  評価