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J-GLOBAL ID：200902223053791000   整理番号：04A0532689

電子サイクロトロン共鳴プラズマ流照射による非常に小さい活性化エネルギと高品質界面での低温シリコン酸化

Low-Temperature Silicon Oxidation with Very Small Activation Energy and High-Quality Interface by Electron Cyclotron Resonance Plasma Stream Irradiation

著者 (4件)： SAITO K (NTT Microsystem Integration Lab., Kanagawa, JPN) ,  JIN Y (NTT Microsystem Integration Lab., Kanagawa, JPN) ,  ONO T (NTT Microsystem Integration Lab., Kanagawa, JPN) ,  SHIMADA M (NTT Microsystem Integration Lab., Kanagawa, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 43  号： 6B  ページ： L765-L767  発行年： 2004年06月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子サイクロトロン共鳴(ECR)プラズマ流を用いた酸化は,初...

シソーラス用語： *ECRプラズマ ,...
準シソーラス用語： 界面トラップ密度

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分類 (2件)： その他の無触媒反応  (CB06070U) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (14件)：

• 1) T. Fuyuki, T. Oka and H. Matsunami: Jpn. J. Appl. Phys. 33 (1994) 440.
• 2) T. Tsukuda and H. Ikoma: Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) 8.
• 3) T. Nishiguchi, H. Nonaka, S. Ichimura, Y. Morikawa, M. Kekura and M. Miyamoto: Appl. Phys. Lett. 81 (2002) 2190.
• 4) T. Ueno, A. Morioka, S. Chikamura and Y. Iwasaki: Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) L327.
• 5) M. Hirayama, K. Sekine, Y. Saito and T. Ohmi: Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet. 2000 (2000) 249.

タイトルに関連する用語 (7件)： 電子サイクロトロン共鳴プラズマ ,  活性化エネルギ ,  高品質 ,  界面 ,  低温 ,  シリコン ,  酸化