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J-GLOBAL ID：200902223166394326   整理番号：06A0138891

超薄膜Siチャンネルおよび自己整合したソースとドレインを持つ縦型2重ゲート金属-酸化物-半導体電界効果トランジスターの作製と評価

Fabrication and characterization of vertical-type double-gate metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with ultrathin Si channel and self-aligned source and drain

著者 (10件)： MASAHARA Meishoku (Nanoelectronics Res. Inst., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba ...) ,  LIU Yongxun (Nanoelectronics Res. Inst., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba ...) ,  ENDO Kazuhiko (Nanoelectronics Res. Inst., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba ...) ,  MATSUKAWA Takashi (Nanoelectronics Res. Inst., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba ...) ,  SAKAMOTO Kunihiro (Nanoelectronics Res. Inst., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba ...) ,  ISHII Kenichi (Nanoelectronics Res. Inst., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba ...) ,  O’UCHI Shinichi (Nanoelectronics Res. Inst., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba ...) ,  SUGIMATA Etsuro (Nanoelectronics Res. Inst., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba ...) ,  YAMAUCHI Hiromi (Nanoelectronics Res. Inst., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba ...) ,  SUZUKI Eiichi (Nanoelectronics Res. Inst., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 88  号： 7  ページ： 072103-072103-3  発行年： 2006年02月13日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 縦に伸びた超薄膜チャンネル(UTC)および自己整合したソース...

シソーラス用語： 超薄膜 ,...
準シソーラス用語： しきい電圧

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (12件)： 超薄膜 ,  Si ,  チャンネル ,  自己整合 ,  ソース ,  ドレイン ,  縦型 ,  2重ゲート ,  酸化物 ,  電界効果トランジスター ,  作製 ,  評価