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J-GLOBAL ID：200902225386984321   整理番号：05A0298258

ポリSi膜用の新しく開発した高速回転するディスク化学蒸着装置

Newly Developed High-Speed Rotating Disk Chemical Vapor Deposition Equipment for Poly-Si Films

著者 (6件)： TERAI F (Shibaura Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  KOBAYASHI H (Toshiba Corp., Kanagawa, JPN) ,  KATSUI S (Toshiba Corp., Ooita, JPN) ,  SATO Y (Toshiba Corp., Kanagawa, JPN) ,  NAGATOMO T (Shibaura Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  HOMMA T (Shibaura Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 44  号： 1A  ページ： 125-130  発行年： 2005年01月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高速で回転するディスクの化学蒸着(CVD)装置を開発した。高...

シソーラス用語： ケイ素 ,...
準シソーラス用語： パーティクル【欠陥】

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (12件)：

• 1) F. Faggin and T. Klein: Solid-State Electron. 13 (1970) 1125.
• 2) D. F. Barbe: Proc. IEEE. 63 (1975) 38.
• 3) P. Joubert, B. Loisel, Y. Chouan and L. Haji: J. Electrochem. Soc. 134 (1987) 2541.
• 4) W. Breiland and G. Evans: J. Electrochem. Soc. 138 (1991) 1806.
• 5) M. E. Coltrin, R. J. Kee and G. H. Evans: J. Electrochem. Soc. 136 (1989) 819.

タイトルに関連する用語 (5件)： Si膜 ,  開発 ,  高速回転 ,  ディスク ,  化学蒸着