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J-GLOBAL ID：200902179159961089   整理番号：00A0808495

注入酸素による分離基板上の25nm長チャネル金属ゲートP型Schottkyソース-ドレイン金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ

A 25-nm-long Channel Metal-Gate p-Type Schottky Source/Drain Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor on Separation-by-Implanted-Oxygen Substrate.

著者 (3件)： ITOH A (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  SAITOH S (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  ASADA M (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 39  号： 8  ページ： 4757-4758  発行年： 2000年08月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 注入酸素による分離(SIMOX)基板上にMOSFET素子を作...

シソーラス用語： *SIMOX ,...
準シソーラス用語： Schottky障壁形FET

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分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (7件)：

• 1) J. R. Tucker, C. Wang and P. S. Carney: Appl. Phys. Lett. 65 (1994) 618.
• 2) R. Hattori and J. Shirafuji: Jpn. J. Appl. Phys. 33 (1994) 612.
• 3) C. K. Huang, W. E. Zhang and C. H. Yang: IEEE Trans. Electron Devices 45 (1998) 842.
• 4) J. P. Snyder, C. R. Helms and Y. Nishi: Appl. Phys. Lett. 67 (1995) 1420.
• 5) C. Wang, J. P. Snyder and J. R. Tucker: Appl. Phys. Lett. 74 (1999) 1174.

タイトルに関連する用語 (8件)： 注入 ,  酸素 ,  チャネル ,  金属ゲート ,  ソース ,  ドレイン ,  酸化物 ,  電界効果トランジスタ