走査型非線形誘電率顕微鏡によるプレーナトランジスタチャネル構造のドーピング完全性の診断

MATSUKAWA Takashi; MASAHARA Meishoku; TANOUE Hisao; KANEMARU Seigo; SUZUKI Eiichi

文献

J-GLOBAL ID：200902227968447889 整理番号：06A0474985

走査型非線形誘電率顕微鏡によるプレーナトランジスタチャネル構造のドーピング完全性の診断

Doping integrity diagnostics of planar transistor channel structures by scanning nonlinear dielectric microscopy

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資料名：
巻： 24 号： 1 ページ： 237-244 発行年： 2006年01月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

トランジスタ構造におけるドーピングの完全性を走査型非線形誘電...

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固体デバイス計測・試験・信頼性 , 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合

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