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J-GLOBAL ID：200902229496891758   整理番号：08A0945000

(775)B GaAs基板上にMBE成長したGaAs/(GaAs)₄(AlAs)₂自己形成型量子細線レーザのゲインスペクトル 3

著者 (6件)： 今津晋二郎 (愛媛大 大学院) ,  松木豊和 (愛媛大 大学院) ,  毛利如良 (愛媛大 大学院) ,  藤田剛也 (大阪大 大学院) ,  北田貴弘 (徳大 大学院) ,  下村哲 (愛媛大 大学院)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 69th  号： 3  ページ： 1237  発行年： 2008年09月02日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *半導体レーザ ,  *ヒ化ガリウム ,  *利得 ,  スペクトル ,  シミュレーション ,  化合物半導体 ,  *ヒ化アルミニウム ,  量子細線 ,  状態密度 ,  ピーク値 ,  MBE成長
準シソーラス用語： *光利得 ,  電流依存性 ,  *量子細線レーザ

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaAs基板 ,  MBE成長 ,  GaAs ,  AlAs ,  自己形成 ,  量子細線レーザ