文献

J-GLOBAL ID：200902231435412495   整理番号：06A0557423

金属クラスタ錯体イオンを照射したスパッタSi表面の観測

Observation of Sputtered Si Surface Irradiated with Metal Cluster Complex Ions

著者 (8件)： TERANISHI Yoshikazu (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  KONDOU Kouji (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  FUJIWARA Yukio (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  NONAKA Hidehiko (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  TOMITA Misuhiro (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  YAMAMOTO Kazuhiro (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  FUJIMOTO Toshiyuki (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  ICHIMURA Shingo (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 45  号： 6B  ページ： 5528-5530  発行年： 2006年06月30日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Os₃(CO)<sub>12</sub...

シソーラス用語： スパッタリング ,...
準シソーラス用語： イオンクラスタ

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分類 (1件)： 電子源,イオン源  (BD02020U)

引用文献 (10件)：

• A. Karen, K. Okuno, F. Soeda and A. Ishitani: J. Vac. Sci. Technol. A 9(1991)2247.
• Z. X. Jiang and P. F. A. Alkemade: Appl. Phys. Lett.73(1998)315.
• K. Wittmaack: J. Vac. Sci. Technol. A 8(1990)2246.
• F. A. Stevie, P. M. Kohara, D. S. Simons and P. Chi: J. Vac. Sci. Technol. A 6(1988)76.
• International Technology Roadmap for Semiconductors, 2001 ed.. Semiconductor Industry Association, 2001.

タイトルに関連する用語 (5件)： クラスタ錯体 ,  イオン ,  スパッタ ,  Si ,  観測