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J-GLOBAL ID：200902231928511018   整理番号：05A0450659

電界放出材料としての炭化ハフニウム薄膜の走査型トンネル顕微鏡観察

Scanning tunneling microscopy observations of hafnium carbide thin films as a field emission material

著者 (9件)： SATO T. (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  SAIDA M. (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  HORIKAWA K. (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  SASAKI M. (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  NAGAO M. (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  KANEMARU S. (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  MATSUKAWA T. (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  ITOH J. (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  YAMAMOTO S. (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 23  号： 2  ページ： 741-744  発行年： 2005年03月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 1071-1023  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 走査トンネル顕微鏡(STM)により,Si(100)上に堆積し...

シソーラス用語： *ハフニウム化合物 ,...

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分類 (3件)： 熱電子放出,電界放出  (BM09020S) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  その他の物質の放射線による構造と物性の変化  (BK16124V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電界放出 ,  炭化ハフニウム ,  薄膜 ,  走査型トンネル顕微鏡観察