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J-GLOBAL ID：200902232122475743   整理番号：09A0458386

熱酸化によるn型4H-SiC中のキャリア寿命の改善と深準位の低下

Reduction of Deep levels and Improvement of Carrier Lifetime in n-Type 4H-SiC by Thermal Oxidation

著者 (2件)： HIYOSHI Toru (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KIMOTO Tsunenobu (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 2  号： 4  ページ： 041101.1-041101.3  発行年： 2009年04月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 熱酸化によるn型4H-SiC(0001)エピ層中の主要深準位の有意な低下を実証した。エピ層を1150~1300°Cで熱酸化すると,Z_1/2中心とEH_6/7中心の密度が(0.3~2)×10¹³cm^-3から検出下限(1×10¹¹cm^-3)以下に低下した。Z_1/2中心の深さプロファイルを解析し,1300°C,5時間の熱酸化後にZ_1/2中心が表面から約50μmの深さに排除されることを明らかにした。種々のマイクロ波光伝導崩壊により測定したn型4H-SiCエピ層中のキャリア寿命は0.73μs(成長させたまま)から1.62μs(1300°C,5時間×2熱酸化後)に有意に向上した。Z_1/2中心とEH_6/7中心の低下機構を論じた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *熱酸化 ,  N型半導体 ,  *炭化ケイ素 ,  *キャリア寿命 ,  深さプロフィル ,  エピタクシー ,  深い準位
準シソーラス用語： *4H-SiC ,  深準位

分類 (1件)： 半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

引用文献 (32件)：

• MATSUNAMI, H. Mater. Sci. Eng. R. 1997, 20, 125
• FRIEDRICHS, P. Mater. Sci. Forum. 2000, 338-342, 1243
• RYU, S.-H. IEEE Electron Device Lett. 2004, 25, 556
• MATIN, M. IEEE Trans. Electron Devices. 2004, 51, 1721
• HARADA, S. IEEE Electron Device Lett. 2004, 25, 292

タイトルに関連する用語 (4件)： 熱酸化 ,  4H-SiC ,  キャリア寿命 ,  深準位