文献

J-GLOBAL ID：200902234423826218   整理番号：06A0157230

生体鉱物化したナノドットアレイを電荷蓄積ノードとして使用したフローティングナノドットゲートメモリ素子

Floating Nanodot Gate Memory Devices Based on Biomineralized Inorganic Nanodot Array as a Storage Node

著者 (11件)： MIURA Atsushi (Nara Inst. of Sci. and Technol., Nara, JPN) ,  HIKONO Takio (Nara Inst. of Sci. and Technol., Nara, JPN) ,  MATSUMURA Takashi (Nara Inst. of Sci. and Technol., Nara, JPN) ,  YANO Hiroshi (Nara Inst. of Sci. and Technol., Nara, JPN) ,  HATAYAMA Tomoaki (Nara Inst. of Sci. and Technol., Nara, JPN) ,  URAOKA Yukiharu (Nara Inst. of Sci. and Technol., Nara, JPN) ,  FUYUKI Takashi (Nara Inst. of Sci. and Technol., Nara, JPN) ,  YOSHII Shigeo (Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kyoto, JPN) ,  YAMASHITA Ichiro (Nara Inst. of Sci. and Technol., Nara, JPN) ,  YAMASHITA Ichiro (Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kyoto, JPN) ,  YAMASHITA Ichiro (JST-CREST, Saitama, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 45  号： 1-3  ページ： L1-L3  発行年： 2006年01月25日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 生体鉱物化した無機ナノドットを埋め込んだ金属-酸化物-半導体...

シソーラス用語： *MOSFET ,...
準シソーラス用語： ナノドットアレイ ,...

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分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  蛋白質・ペプチド一般  (EB03010N)

引用文献 (8件)：

• TIWARI, S. Appl. Phys. Lett. 1996, 68, 1377
• KOHNO, A. Jpn. J. Appl. Phys. 2001, 40, L721
• TIWARI, S. Appl. Phys. Lett. 1996, 69, 1232
• KAPETANAKIS, E. Appl. Phys. Lett. 2002, 80, 2794
• TSUKAMOTO, R. Bull. Chem. Soc. Jpn. 2005, 78, 2075

タイトルに関連する用語 (4件)： 生体鉱物 ,  ナノドットアレイ ,  電荷蓄積 ,  ノード