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J-GLOBAL ID：200902164196433265   整理番号：01A0728449

シリコン量子ドットフローティングゲート金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタのメモリ動作

Memory Operation of Silicon Quantum-Dot Floating-Gate Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors.

著者 (5件)： KOHNO A (Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN) ,  MURAKAMI H (Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN) ,  IKEDA M (Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN) ,  MIYAZAKI S (Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN) ,  HIROSE M (Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 40  号： 7B  ページ： L721-L723  発行年： 2001年07月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン量子ドット(QD)層フローティングゲートを有するMO...

シソーラス用語： *ゲート【半導体】 ,...

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分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (11件)：

• 1) S. Tiwari, F. Rana, H. Hanafi, H. Hartstein, E. F. Crabbé and K. Chan: Appl. Phys. Lett. 68 (1996) 1377.
• 2) S. Tiwari, F. Rana, K. Chan, L. Shi and H. Hanafi: Appl. Phys. Lett. 69 (1996) 1232.
• 3) L. Guo, E. Leobandung and S. Y. Chou: Tech. Dig. 1996 Int. Electron Device Meet., San Francisco, 1996 (The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc., New Jersey, 1996) p. 955.
• 4) J. J. Welser, S. Tiwari, S. Rishton, K. Y. Lee and Y. Lee: IEEE Electron Device Lett. 18 (1997) 278.
• 5) A. Nakajima, Y. Sugita, K. Kawamura, H. Tomita and N. Yokoyama: Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) L189.

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコン ,  量子ドット ,  フローティングゲート ,  酸化物 ,  電界効果トランジスタ