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J-GLOBAL ID：200902236106289838   整理番号：05A0921095

UV光励起のオゾンを用いるけい素の低温酸化

Low-Temperature Oxidation of Silicon using UV-Light-Excited Ozone

著者 (5件)： TOSAKA Aki (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  NISHIGUCHI Tetsuya (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  NISHIGUCHI Tetsuya (Meidensha Corp., Shizuoka, JPN) ,  NONAKA Hidehiko (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  ICHIMURA Shingo (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 44  号： 33-36  ページ： L1144-L1146  発行年： 2005年09月10日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高濃度オゾン中でKrFエキシマレーザ光(λ=248nm)を照...

シソーラス用語： *オゾン ,...

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分類 (1件)： その他の無触媒反応  (CB06070U)

引用文献 (16件)：

• 1) Y. Ishikawa, T. Shibamoto, T. Uchihara and I. Nakamichi: Jpn. J. Appl. Phys. 30 (1991) L661.
• 2) Y. Ishikawa, T. Shibamoto and I. Nakamichi: Jpn. J. Appl. Phys. 31 (1992) 1148.
• 3) J. Y. Zhang and I. W. Boyd: Appl. Phys. Lett. 71 (1997) 2964.
• 4) A. Fukano and H. Oyanagi: J. Appl. Phys. 94 (2003) 3345.
• 5) Q. Fang, J. Y. Zhang and I. W. Boyd: Appl. Surf. Sci. 208–209 (2003) 369.

タイトルに関連する用語 (5件)： UV光 ,  励起 ,  オゾン ,  けい素 ,  低温酸化