文献

J-GLOBAL ID：200902237527374458   整理番号：05A0066353

光反射分光法によるMFIS構造の記憶状態の無電極キャラクタリゼーション

Electrodeless Characterization of Memorized States of MFIS Structure by Photoreflectance Spectroscopy

著者 (5件)： SOHGAWA M (Osaka Univ., Toyonaka, JPN) ,  YOSHIDA M (Osaka Univ., Toyonaka, JPN) ,  KANASHIMA T (Osaka Univ., Toyonaka, JPN) ,  OKUYAMA M (Osaka Univ., Toyonaka, JPN) ,  FUJIMOTO A (Wakayama National Coll. Technol., Wakayama, JPN)
資料名： Journal of the Korean Physical Society  (Journal of the Korean Physical Society)
巻： 46  号： 1  ページ： 262-264  発行年： 2005年01月15日 
JST資料番号： T0357A  ISSN： 0374-4884  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 韓国 (KOR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SrBi₂Ta₂...

シソーラス用語： *MIS構造 ,...
準シソーラス用語： シリカ ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=05A0066353&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=T0357A") }}

分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (5件)： 反射分光法 ,  MFIS構造 ,  記憶状態 ,  無電極 ,  キャラクタリゼーション