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J-GLOBAL ID：200902237535907376   整理番号：05A0876505

Si円錐上に成長したカーボンナノチューブ単一先端の電界放出特性

Field-Emission Characteristics of Carbon Nanotube Single Tip Grown on Si Cone

著者 (3件)： YOSHIMOTO Tomomi (Hokkaido Tokai Univ., Sapporo, JPN) ,  IWATA Tatsuo (Hokkaido Tokai Univ., Sapporo, JPN) ,  MATSUMOTO Kazuhiko (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 44  号： 9A  ページ： 6739-6741  発行年： 2005年09月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アニーリング温度の関数としてカーボンナノチューブ単一先端の電...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 熱電子放出,電界放出  (BM09020S)

引用文献 (11件)：

• 1) K. Hata, A. Takakura and Y. Saito: Surf. Sci. 490 (2001) 296.
• 2) C. Oshima, K. Matsuda, T. Kona, Y. Mogami, M. Komaki, Y. Murata and T. Yamashita: Phys. Rev. Lett. 88 (2002) 038301.
• 3) K. Matsumoto, Y. Gotoh, S. Kinoshita and M. Ishii: Tech. Rep. IEICE, ED200-60 (2000) 97.
• 4) K. Matsumoto, S. Kinoshita, Y. Gotoh, T. Uchiyama, S. Manalis and C. Quate: Appl. Phys. Lett. 78 (2001) 539.
• 5) T. Yoshimoto, T. Iwata, R. Minesawa and K. Matsumoto: Jpn. J. Appl. Phys. 40 (2001) L983.

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  円錐 ,  成長 ,  カーボンナノチューブ ,  電界放出