文献

J-GLOBAL ID：200902238034081172   整理番号：09A1163505

宇宙用半導体部品とその耐放射線化技術

Semiconductor Devices for Space Use and Radiation Hardening Technique

著者 (3件)： 廣瀬和之 (宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部) ,  三ツ石進 (NEC東芝スペースシステム株式会社) ,  小林大輔 (宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部)
資料名： 電気学会誌  (電気学会雑誌)
巻： 129  号： 11  ページ： 739-742 (J-STAGE)  発行年： 2009年 
JST資料番号： F0011A  ISSN： 1340-5551  CODEN： DGZAAW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 宇宙環境は地上と比較できないくらい半導体部品にとって厳しく,特に放射線環境が著しく厳しい。本稿は,日本の科学衛星の搭載してきた宇宙用部品の歴史を概観し,次に,筆者らが研究している放射線耐性強化宇宙用SOIデバイスを紹介した。筆者らは,民生SOI CMOSプロセス(0.2μm)を用いたシミュレーションと放射線照射実験を繰返し,ソフトエラー発生率が極めて低い256Kbit-SRAMを開発した。新たな放射線障害として懸念されているシングルイベント過渡現象の解明も述べた。

シソーラス用語： *SRAM ,  宇宙環境 ,  科学衛星 ,  *耐放射線性 ,  SOI構造 ,  放射線照射 ,  計算機シミュレーション ,  *CMOS集積回路 ,  シングルイベント過渡現象 ,  飛翔体 ,  計算機利用 ,  利用
準シソーラス用語： CMOSプロセス ,  ソフトエラー率

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (20件)：

• HOLMES-SIEDLE, A. Handbook of Radiation Effects. 2002
• 後川昭雄. 耐放射線強化素子研究の現状. 応用物理. 1986, 55, 3, 25-33
• 塩野登. LSIへの放射線の影響. 応用物理. 1986, 55, 3, 43-47
• 梨山勇. 宇宙用半導体素子のシングルイベント. 放射線と産業. 1994, 61, 37-41
• 平田雅規. 宇宙用LSIの放射線対策. 放射線と産業. 1994, 63, 21-24

タイトルに関連する用語 (2件)： 宇宙 ,  放射線