プラズマ支援分子線エピタキシーによって成長したAlN/GaNヘテロ構造中の分極電荷により誘起された2次元電子ガス

JEGANATHAN K; IDE T; SHIMIZU M; OKUMURA H

文献

J-GLOBAL ID：200902238738297251 整理番号：03A0637713

プラズマ支援分子線エピタキシーによって成長したAlN/GaNヘテロ構造中の分極電荷により誘起された2次元電子ガス

Two-dimensional electron gases induced by polarization charges in AlN/GaN heterostructure grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy

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巻： 94 号： 5 ページ： 3260-3263 発行年： 2003年09月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

標記ヘテロ構造の界面に閉じ込められた2次元電子ガスの成長と輸...

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13-15族化合物を含む半導体-半導体接合

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