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J-GLOBAL ID：200902240886723620   整理番号：03A0256367

AlN/GaN多層膜と薄いAlN/AlGaNバッファ層を用いたSi(111)上の高輝度InGaN多重量子井戸青色発光ダイオード

High-Bright InGaN Multiple-Quantum-Well Blue Light-Emitting Diodes on Si (111) Using AlN/GaN Multilayers with a Thin AlN/AlGaN Buffer Layer.

著者 (5件)： ZHANG B (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  EGAWA T (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  ISHIKAWA H (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  LIU Y (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  JIMBO T (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 42  号： 3A  ページ： L226-L228  発行年： 2003年03月01日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高輝度InGaN多重量子井戸青色発光ダイオード(LED)を,...

シソーラス用語： *多重量子井戸 ,...

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分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  発光素子  (NC03082G)

引用文献 (16件)：

• 1) A. Dadgar, J. Christen, T. Riemann, S. Richter, J. Bläsing, A. Diez, A. Krost, A. Alam and M. Heuken: Appl. Phys. Lett. 78 (2001) 2211.
• 2) S. Guha and N. A. Bojarczuk: Appl. Phys. Lett. 73 (1998) 1487.
• 3) J. W. Yang, A. Lunev, G. Simin, A. Chitnis, M. Shatalov, M. Asif Khan, J. E. Van Nostrand and R. Gaska: Appl. Phys. Lett. 76 (2000) 273.
• 4) C. A. Tran, A. Osinski, R. F. Karlicek, Jr. and I. Berishev: Appl. Phys. Lett. 75 (1999) 1494.
• 5) F. Semond, P. Lorenzini, N. Grandjean and J. Massies: Appl. Phys. Lett. 78 (2001) 335.

タイトルに関連する用語 (10件)： AlN ,  GaN ,  多層膜 ,  AlGaN ,  バッファ層 ,  Si ,  高輝度 ,  InGaN ,  多重量子井戸 ,  青色発光ダイオード