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J-GLOBAL ID：200902243303669614   整理番号：07A0106183

歪んだSi_1-xGe_x/Si(100)上にPH₃およびSi₂H₆を超清浄低圧CVD法で交互に表面反応させることによってPの原子層をドープしたSi薄膜のエピタキシャル成長

Epitaxial growth of P atomic layer doped Si film by alternate surface reactions of PH₃ and Si₂H₆ on strained Si_1-xGe_x/Si(100) in ultraclean low-pressure CVD

著者 (3件)： CHIBA Yohei (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SAKURABA Masao (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  MUROTA Junichi (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 22  号： 1  ページ： S118-S122  発行年： 2007年01月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Pを吸着したSi_1-xGe<sub>x...

シソーラス用語： ジシラン ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (10件)： Si ,  PH3 ,  Si2H6 ,  低圧 ,  CVD法 ,  表面反応 ,  原子層 ,  ドープ ,  Si薄膜 ,  エピタキシャル成長