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J-GLOBAL ID：200902244185669252   整理番号：03A0393101

Si₃N₄ゲート絶縁体を有するAlGaN/GaNヘテロ構造金属-絶縁体-半導体高電子移動度トランジスタ

AlGaN/GaN Heterostructure Metal-Insulator-Semiconductor High-Electron-Mobility Transistors with Si₃N₄ Gate Insulator

著者 (6件)： OCHIAI M (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  AKITA M (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  OHNO Y (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  KISHIMOTO S (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  MAEZAWA K (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  MIZUTANI T (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 42  号： 4B  ページ： 2278-2280  発行年： 2003年04月30日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゲート絶縁体としてのSi₃N<sub>...

シソーラス用語： *HEMT ,...

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分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (11件)：

• 1) Y. F. Wu, D. Kapolnek, J. P. Ibbetson, P. Parikh, B. P. Keller and U. K. Mishra: IEEE Trans. Electron Devices 48 (2001) 586.
• 2) L. F. Eastman, V. T. J. Smart, B. M. Green, E. M. Chumbes, R. Dimitrov, H. Kim, O. S. Ambacher, N. Weimann, T. Prunty, M. Murphy, W. J. Schaff and J. R. Shealy: IEEE Trans. Electron Devices 48 (2001) 479.
• 3) X. Hu, A. Koudymov, G. Simin, J. Yang, M. Asif Khan, A. Tarakji, M. S. Shur and R. Gaska: Appl. Phys. 79 (2001) 2832.
• 4) S. Mizuno, Y. Ohno, S. Kishimoto, K. Maezawa and T. Mizutani: Jpn. J. Appl. Phys. 41 (2002) 5125.
• 5) R. Vetury, N. Q. Zhang, S. Keller and U. K. Mishra: IEEE Trans. Electron Devices 48 (2001) 560.

タイトルに関連する用語 (7件)： Si3N4 ,  ゲート絶縁体 ,  AlGaN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  絶縁体 ,  高電子移動度トランジスタ