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J-GLOBAL ID：200902245763104545   整理番号：09A0189335

アモルファス炭素および窒化炭素膜の液相堆積

Liquid Phase Deposition of Amorphous Carbon and Carbon Nitride Films

著者 (4件)： KIYOTA Hideo (Dep. of Mechanical Systems Engineering, School of Industrial Engineering, Tokai Univ., JPN) ,  GAMO Hidenori (Technical Res. Inst., Toppan Printing Co., Ltd., JPN) ,  NISHITANI-GAMO Mikka (Dep. of Applied Chemistry and Sensor Photonics Res. Center, Toyo Univ., JPN) ,  ANDO Toshihiro (National Inst. for Materials Sci., JPN)
資料名： e-Journal of Surface Science and Nanotechnology (Web)  (e-Journal of Surface Science and Nanotechnology (Web))
巻： 7  ページ： 102-106 (J-STAGE)  発行年： 2009年 
JST資料番号： U0016A  ISSN： 1348-0391  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アモルファス炭素(a-C)および窒化炭素(CN_x)膜の液相堆積を,有機液体の電気分解を用いて試みた。a-C膜の堆積はメタノールに浸漬した基板にDCバイアス電圧を印加することにより行った。Si,TiおよびAlのような特異的基板材料上に平滑で均一なa-C膜を堆積させた。CN_x膜の堆積はアクリルニトリル(CH₂CHCN)のような窒素含有電解質を用いて行った。負および正のバイアス電圧の両方を印加することにより連続で均一な膜が得られた。成長膜における窒素と炭素の原子比は0.16~0.28と算出された。これらの結果から炭素関連材料の生産に液相堆積法を用いることのできる可能性があることがわかった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *炭素材 ,  *液相成長 ,  析出 ,  *炭素化合物 ,  *窒化物 ,  電解 ,  化学組成 ,  薄膜 ,  電界放出 ,  電子顕微鏡観察 ,  X線光電子スペクトル
準シソーラス用語： *非晶質炭素 ,  *液相析出 ,  *窒化炭素

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D)

引用文献 (18件)：

• [1] Y. Namba, J. Vac. Sci. Technol. A 10, 3368 (1992).
• [2] H. Wang, M. R. Shen, Z. Y. Ning, C. Ye, C. B. Cao, H. Y. Dang, and H. S. Zhu, Appl. Phys. Lett. 69, 1074 (1996).
• [3] D. Guo, K. Cai, L. -T. Li, Y. Huang, Z. -L. Gui, and H. -S. Zhu, Carbon 39, 1395 (2001).
• [4] H. Kiyota, H. Araki, H. Kobayashi, T. Shiga, K. Kitaguchi, M. Iida, H. Wang, T. Miyo, T. Takida, T. Kurosu, K. Inoue, I. Saito, M. Nishitani-Gamo, I. Sakaguchi, and T. Ando, Appl. Phys. Lett. 75, 2331 (1999).
• [5] A. Y. Liu and M. Cohen, Science 245, 841 (1989).

タイトルに関連する用語 (5件)： アモルファス炭素 ,  窒化 ,  炭素膜 ,  液相 ,  堆積