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J-GLOBAL ID：200902253842048815   整理番号：07A0567880

シンクロトロン放射を使い実時間光電子分光法により調べたSi(001)表面層毎の酸化

Si(001) Surface Layer-by-Layer Oxidation Studied by Real-Time Photoelectron Spectroscopy using Synchrotron Radiation

著者 (6件)： OGAWA Shuichi (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  YOSHIGOE Akitaka (Japan Atomic Energy Res. Agency, Hyogo, JPN) ,  ISHIDZUKA Shinji (Akita National Coll. of Technol., Akita, JPN) ,  TERAOKA Yuden (Japan Atomic Energy Res. Agency, Hyogo, JPN) ,  TAKAKUWA Yuji (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  TAKAKUWA Yuji (JST-CREST, Sendai, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 46  号： 5B  ページ： 3244-3254  発行年： 2007年05月30日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シンクロトロン放射を使い高解像O1sとSi2p光電子分光法を...

シソーラス用語： シンクロトロン放射 ,...

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分類 (1件)： その他の無触媒反応  (CB06070U)

引用文献 (75件)：

• M. K. Weldon, K. T. Queeney, J. Eng, Jr., K. Raghavachari, and Y. J. Chabal: Surf. Sci.500(2002)859.
• T. Hattori and H. Nohira: in Fundamental Aspects of Silicon Oxidation, ed. Y. J. Chabal (Springer, Berlin, 2001) p. 61.
• H. Watanabe, N. Miyata, and M. Ichikawa: in Fundamental Aspects of Silicon Oxidation, ed. Y. J. Chabal (Springer, Berlin, 2001) p. 89.
• T. Yasuda, N. Kumagai, M. Nishizawa, S. Yamasaki, H. Oheda, and K. Yamabe: Phys. Rev. B 67(2003)195338.
• B. E. Deal and A. S. Grove: J. Appl. Phys.36(1965)3770.

タイトルに関連する用語 (6件)： シンクロトロン放射 ,  実時間 ,  光電子分光法 ,  Si ,  表面層 ,  酸化