低オン抵抗の高破壊電圧電界効果トランジスタのためのシリコン基板上のAlGaN/GaN/AlGaN二重ヘテロ構造

VISALLI Domenica; VISALLI Domenica; VAN HOVE Marleen; DERLUYN Joff; DEGROOTE Stefan; LEYS Maarten; CHENG Kai; CHENG Kai; GERMAIN Marianne; BORGHS Gustaaf; BORGHS Gustaaf

文献

J-GLOBAL ID：200902256169573545 整理番号：09A0458581

低オン抵抗の高破壊電圧電界効果トランジスタのためのシリコン基板上のAlGaN/GaN/AlGaN二重ヘテロ構造

AlGaN/GaN/AlGaN Double Heterostructures on Silicon Substrates for High Breakdown Voltage Field-Effect Transistors with low On-Resistance

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資料名：
巻： 48 号： 4,Issue 2 ページ： 04C101.1-04C101.4 発行年： 2009年04月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

高破壊電圧と低オン抵抗のAlGaN/GaN/AlGaN二重ヘテロ構造電界効果トランジスタ(DHFET)をシリコン基板上に製作した。破壊電圧のバッファ厚みとバッファのアルミニウム濃度への線形依存を見いだした。3.7μmのバッファー厚みで処理したデバイスで破壊電圧830V程度に高くオン抵抗6.2Ω・mm程度に低い値を得た。ゲート-ドレーン間隔は8μmで,デバイスはフィールドプレートを持たない。(翻訳著者抄録)

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トランジスタ

引用文献 (12件)：

S. Arulkumaran, T. Egawa, S. Matsui, and H. Ishikawa: Appl. Phys. Lett.86(2005)123503.
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Y. Choi, M. Pophristic, H. Cha, B. Peres, M. Spencer, and L. Eastman: IEEE Trans. Electron Devices 53(2006)2926.
S. Kato, Y. Satoh, H. Sasaki, I. Masayuki, and S. Yoshida: J. Cryst. Growth 298(2007)831.
N. Ikeda, S. Kaya, J. Li, Y. Sato, S. Kato, and S. Yoshida: Proc. Int. Symp. Power Semiconductor Devices and IC’s, 2008, p. 287.

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