文献

J-GLOBAL ID：200902256169573545   整理番号：09A0458581

低オン抵抗の高破壊電圧電界効果トランジスタのためのシリコン基板上のAlGaN/GaN/AlGaN二重ヘテロ構造

AlGaN/GaN/AlGaN Double Heterostructures on Silicon Substrates for High Breakdown Voltage Field-Effect Transistors with low On-Resistance

著者 (11件)： VISALLI Domenica (Interuniversity Microelectronics Center (IMEC), Leuven, BEL) ,  VISALLI Domenica (Katholieke Universiteit Leuven, Leuven, BEL) ,  VAN HOVE Marleen (Interuniversity Microelectronics Center (IMEC), Leuven, BEL) ,  DERLUYN Joff (Interuniversity Microelectronics Center (IMEC), Leuven, BEL) ,  DEGROOTE Stefan (Interuniversity Microelectronics Center (IMEC), Leuven, BEL) ,  LEYS Maarten (Interuniversity Microelectronics Center (IMEC), Leuven, BEL) ,  CHENG Kai (Interuniversity Microelectronics Center (IMEC), Leuven, BEL) ,  CHENG Kai (Katholieke Universiteit Leuven, Leuven, BEL) ,  GERMAIN Marianne (Interuniversity Microelectronics Center (IMEC), Leuven, BEL) ,  BORGHS Gustaaf (Interuniversity Microelectronics Center (IMEC), Leuven, BEL) ,  BORGHS Gustaaf (Katholieke Universiteit Leuven, Leuven, BEL)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 48  号： 4,Issue 2  ページ： 04C101.1-04C101.4  発行年： 2009年04月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高破壊電圧と低オン抵抗のAlGaN/GaN/AlGaN二重ヘテロ構造電界効果トランジスタ(DHFET)をシリコン基板上に製作した。破壊電圧のバッファ厚みとバッファのアルミニウム濃度への線形依存を見いだした。3.7μmのバッファー厚みで処理したデバイスで破壊電圧830V程度に高くオン抵抗6.2Ω・mm程度に低い値を得た。ゲート-ドレーン間隔は8μmで,デバイスは フィールドプレートを持たない。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *電圧 ,  抵抗 ,  *FET【トランジスタ】 ,  窒化ガリウム ,  窒化アルミニウム ,  アルミニウム ,  濃度
準シソーラス用語： 破壊電圧 ,  フィールドプレート

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (12件)：

• S. Arulkumaran, T. Egawa, S. Matsui, and H. Ishikawa: Appl. Phys. Lett.86(2005)123503.
• M. Hikita, M. Yanagihara, K. Nakazawa, H. Ueno, Y. Hirose, T. Ueda, Y. Uemoto, T. Tanaka, D. Ueda, and T. Egawa: IEEE Trans. Electron Devices 52(2005)1963.
• Y. Choi, M. Pophristic, H. Cha, B. Peres, M. Spencer, and L. Eastman: IEEE Trans. Electron Devices 53(2006)2926.
• S. Kato, Y. Satoh, H. Sasaki, I. Masayuki, and S. Yoshida: J. Cryst. Growth 298(2007)831.
• N. Ikeda, S. Kaya, J. Li, Y. Sato, S. Kato, and S. Yoshida: Proc. Int. Symp. Power Semiconductor Devices and IC’s, 2008, p. 287.

タイトルに関連する用語 (7件)： オン抵抗 ,  破壊電圧 ,  電界効果トランジスタ ,  シリコン基板 ,  AlGaN ,  GaN ,  ヘテロ構造