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J-GLOBAL ID：200902256713801344   整理番号：05A0063453

p-型ドーピングに対する繰返し温度変調エピタクシーとZnO基の発光ダイオード

Repeated temperature modulation epitaxy for p-type doping and light-emitting diode based on ZnO

著者 (9件)： TSUKAZAKI A (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  OHTOMO A (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  ONUMA T (Univ. Tsukuba, Tsukuba, JPN) ,  MAKINO T (Inst. Physical and Chemical Res., Sendai, JPN) ,  SUMIYA M (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  CHICHIBU S F (Univ. Tsukuba, Tsukuba, JPN) ,  FUKE S (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  SEGAWA Y (Inst. Physical and Chemical Res., Sendai, JPN) ,  KOINUMA H (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
資料名： Nature Materials  (Nature Materials)
巻： 4  号： 1  ページ： 42-46  発行年： 2005年01月 
JST資料番号： W1364A  ISSN： 1476-1122  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 発光ダイオード(LED)用材料の一つとして最近注目されている...

シソーラス用語： レーザ加熱 ,...

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分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  酸化物の結晶成長  (BK13050I) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 型 ,  ドーピング ,  温度変調 ,  エピタクシー ,  ZnO ,  発光ダイオード