文献
J-GLOBAL ID:200902258396652349   整理番号:09A0285066

プラズマイオン注入におけるパルス電圧形状を考慮したイオン注入分布の算出

Calculation of Ion Concentration Profile at Pulse Voltage with Finite Rise and Fall Times in Plasma Ion Implantation
著者 (1件):
資料名:
巻: 16  号:ページ: 99-104  発行年: 2008年12月 
JST資料番号: L4460A  ISSN: 1340-3214  CODEN: POKAFE  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
プラズマイオン注入(PSII)は,短時間で多量にイオン注入ができるため,材料開発の分野で注目されている。このPSIIを一般産業に適用するには,制御性に優れたコンパクトで廉価なイオン注入用の高電圧パルス電源の開発が求められる。このためには,パルス電源の波形を考慮した場合のイオン注入の状況を把握し,最適な電源パラメータを決定する必要がある。本稿では,イオン注入電源の電圧パルス幅,パルス立ち上がり,及び立下り時間等を変化させて,イオン注入時の電圧電流特性を数値計算により求めた。更に,この結果とTRIMコードで求めたイオン注入分布より,パルス電圧波形が台形波の時のイオン注入分布を求めた。そして,パルス電源のパルス立ち上がり時間trと立下り時間tfを考慮して,パルス電圧とプラズマ密度を変化させることによるイオン電流を計算した結果,イオン電流は,パルス電圧よりもプラズマ密度への依存度が高いことが分かった。更に,trとtfを考慮して計算したイオン電流とTRIMコードによって,イオン注入時のイオン注入密度を評価した結果からは,パルス幅τを1,5,10μsと変化させた場合,τ=1μsの時,最もイオン密度が高くなり,このτの値において,tr=0.01,0.25,0.5μsと変化させた場合,tr=0.25μsの時が,ターゲット材料の深さ方向に,均一なイオン注入が可能であることが示された。
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
プラズマ応用 
引用文献 (8件):
タイトルに関連する用語 (4件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る