文献

J-GLOBAL ID：200902258992481748   整理番号：09A0458571

Ga₂O₃-In₂O₃-ZnO薄膜トランジスタの劣化の実験的理論的解析

Experimental and Theoretical Analysis of Degradation in Ga₂O₃-In₂O₃-ZnO Thin-Film Transistors

著者 (5件)： FUJII Mami (Nara Inst. Sci. and Technol., Nara, JPN) ,  URAOKA Yukiharu (Nara Inst. Sci. and Technol., Nara, JPN) ,  FUYUKI Takashi (Nara Inst. Sci. and Technol., Nara, JPN) ,  JUNG Ji Sim (Samsung Advanced Inst. Technol., Gyeonggi-do, KOR) ,  KWON Jang Yeon (Samsung Advanced Inst. Technol., Gyeonggi-do, KOR)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 48  号： 4,Issue 2  ページ： 04C091.1-04C091.6  発行年： 2009年04月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 次世代ディスプレイの駆動回路として有望なGa₂O₃-In₂O₃-ZnO薄膜トランジスタ(TFTs)の劣化を研究した。ゲート電圧とドレーン電圧ストレスを印加することによってに起こる劣化を評価した。移動カーブの平行シフトを,ゲート電圧ストレス下で観察した。ゲートとドレーン電圧ストレスを印加したときの閾値電圧シフトの量はゲート電圧ストレスだけの場合よりより小さかった。ドレーン電流に起因するジュール加熱を観察した。装置シミュレーションによって移動カーブ変化の劣化を再現した。トラップレベルを状態密度(DOS)モデルとみなしそして,2種類のトラップ密度を増すとき,実験結果と同じ傾向を示す特性を得た。2つの劣化メカニズムがゲートとドレーン電圧ストレス条件下で起こると結論した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  酸化ガリウム ,  酸化インジウム ,  酸化亜鉛 ,  表示装置 ,  *劣化 ,  抵抗加熱 ,  状態密度 ,  ゲート【半導体】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (20件)：

• K. Nomura. H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono: Nature 432(2004)488.
• K. Nomura, H. Ohta, K. Ueda, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono: Science 390(2003)1269.
• F. M. Hosain, J. Nishi, S. Takagi, T. Sugihara, A. Ohtomo, T. Fukumura, H. Koinuma, H. Ohno, and M. Kawasaki: Physica E 21(2004)911.
• T. Hirao, M. Furuta, H. Furuta, T. Matsuda, T. Hiramatsu, T. Hokari, and M. Yoshida: SID Int. Symp. Dig. Tech. Pap. 37(2006)18.
• R. B. M. Cross and M. M. De Souza: Appl. Phys. Lett.89(2006)263513.

タイトルに関連する用語 (6件)： Ga2O3 ,  ZnO薄膜 ,  トランジスタ ,  実験 ,  理論 ,  解析