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J-GLOBAL ID：200902259439274064   整理番号：03A0617826

選択ドーピングによるN型ダイヤモンドへのOhm接触形成

Ohmic Contact Formation for N-Type Diamond by Selective Doping

著者 (5件)： TERAJI T (Osaka Univ., Suita, JPN) ,  KATAGIRI M (National Inst. for Materials Sci., Tsukuba, JPN) ,  KOIZUMI S (National Inst. for Materials Sci., Tsukuba, JPN) ,  ITO T (Osaka Univ., Suita, JPN) ,  KANDA H (National Inst. for Materials Sci., Tsukuba, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 42  号： 8A  ページ： L882-L884  発行年： 2003年08月01日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： マイクロ波プラズマCVDによって成長させたりんドープn型{1...

シソーラス用語： *プラズマCVD ,...

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分類 (2件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (17件)：

• 1) T. Teraji, S. Koizumi, S. Mita, A. Sawabe and H. Kanda: Jpn. J. Appl. Phys. 38 (1999) L1096.
• 2) T. Teraji, S. Koizumi and H. Kanda: Appl. Phys. Lett. 76 (2000) 1303.
• 3) S. Yamanaka, D. Takeuchi, H. Watanabe, H. Okushi and K. Kajimura: Diamond Relat. Mater. 9 (2000) 956.
• 4) H. Kiyota, E. Matsushima, K. Sato, H. Okushi, T. Ando, M. Kamo, Y. Sato and M. Iida: Appl. Phys. Lett. 67 (1995) 3596.
• 5) T. Teraji, S. Koizumi and H. Kanda: Phys. Status Solidi (a) 181 (2000) 129.

タイトルに関連する用語 (3件)： ドーピング ,  ダイヤモンド ,  Ohm接触