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J-GLOBAL ID:200902259682412777   整理番号:09A0812760

近接場光化学蒸着を用いたナノ作製の新しい展望

New Aspects in Nanofabrication Using Near-Field Photo-Chemical Vapor Deposition
著者 (7件):
資料名:
巻:号:ページ: 075504.1-075504.3  発行年: 2009年07月25日 
JST資料番号: F0599C  ISSN: 1882-0778  CODEN: APEPC4  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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光近接場のドレッシング性と光学的に禁制された分子振動励起に基づいて,基板上のナノロッド堆積からの光近接場に起因した原子又は原子クラスタの堆積を記述する単純なモデルを提唱した。各原子結合に対する非調和ポテンシャルを仮定して,実効原子-ナノドットポテンシャルを評価し,脱着エネルギーと安定化したドットの大きさを決定した。モデルは報告されている実験データをかなり良く記述し,光学的に禁制された分子振動励起が光近接場過程で重要な役割をすることを示した。これはナノ構造の大きさと位置の制御の他に,新しい製造法を生む可能性がある。(翻訳著者抄録)
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分類 (1件):
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薄膜成長技術・装置 
引用文献 (14件):
  • YAMAMOTO, Y. Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 2173
  • KAWAZOE, T. Appl. Phys. Lett. 2001, 79, 1184
  • YATSUI, T. Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 3651
  • TANAKA, Y. Physica E. 2007, 40, 297
  • TANAKA, Y. J. Microsc. 2008, 229, 228
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タイトルに関連する用語 (4件):
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