文献

J-GLOBAL ID：200902260734763466   整理番号：05A0535197

V_th制御可能な4端子2重ゲートMOSFETに関する素子設計の考察

Device Design Consideration for V_th-Controllable Four-Terminal Double-Gate Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor

著者 (7件)： MASAHARA Meishoku (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  LIU Yongxun (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  SAKAMOTO Kunihiro (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  ENDO Kazuhiko (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  SEKIGAWA Toshihiro (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  MATSUKAWA Takashi (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  SUZUKI Eiichi (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 44  号： 4B  ページ： 2351-2356  発行年： 2005年04月30日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記しきい値電圧制御型4端子2重ゲートMOSFETの最適素子...

シソーラス用語： 計算機シミュレーション ,...
準シソーラス用語： しきい電圧 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=05A0535197&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=G0520B") }}

分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (13件)：

• 1) T. Sekigawa and Y. Hayashi: Solid-State Electron. 27 (1984) 827.
• 2) J. P. Denton and G. W. Neudeck: Proc. IEEE SOI Conf. (1995) p. 135.
• 3) I. Y. Yang, C. Vieri, A. Chandrakasan and D. A. Antoniadis: IEEE Trans. Electron Devices 44 (1997) 822.
• 4) H.-S. P. Wong, D. J. Frank and P. M. Solomon: Tech. Dig. Int. Electron Device Meet. (1998) p. 407.
• 5) K. W. Guarini et al.: Tech. Dig. Int. Electron Device Meet. (2001) p. 425.

タイトルに関連する用語 (3件)： 2重ゲート ,  MOSFET ,  素子設計