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J-GLOBAL ID:200902260734763466   整理番号:05A0535197

Vth制御可能な4端子2重ゲートMOSFETに関する素子設計の考察

Device Design Consideration for Vth-Controllable Four-Terminal Double-Gate Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor
著者 (7件):
資料名:
巻: 44  号: 4B  ページ: 2351-2356  発行年: 2005年04月30日 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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標記しきい値電圧制御型4端子2重ゲートMOSFETの最適素子...
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分類 (2件):
分類
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金属-絶縁体-半導体構造  ,  トランジスタ 
引用文献 (13件):
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