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J-GLOBAL ID：200902261739529859   整理番号：07A0410072

低温におけるホットワイヤー化学蒸着によって堆積させた無ドープ,N型およびP型水素化ナノ結晶炭化けい素の評価

Characterization of Undoped, N- and P-Type Hydrogenated Nanocrystalline Silicon Carbide Films Deposited by Hot-Wire Chemical Vapor Deposition at Low Temperatures

著者 (3件)： MIYAJIMA Shinsuke (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  YAMADA Akira (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  KONAGAI Makoto (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 46  号： 4A  ページ： 1415-1426  発行年： 2007年04月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 300°Cという低い基板温度の下におけるホットワイヤー化学蒸着...

シソーラス用語： ホスフィン ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

物質索引 (2件)： ヘキサメチルジシラザン ,  ジメチルアルミニウムヒドリド

引用文献 (36件)：

• H. R. Philipp: Phys. Rev.111(1958)440.
• L. Patrick and W. J. Choyke: Phys. Rev.186(1969)775.
• H. Morkoc, S. Strite, G. B. Gao, M. E. Lin, B. Sverdlov, and M. Bums: J. Appl. Phys.76(1994)1363.
• D. Bimberg, M. Altarelli, and N. O. Lipari: Solid State Commun.40(1981)437.
• S. Motoyama and S. Kaneda: Appl. Phys. Lett.54(1989)242.

タイトルに関連する用語 (9件)： 低温 ,  ホットワイヤー ,  化学蒸着 ,  堆積 ,  ドープ ,  水素化 ,  ナノ結晶 ,  炭化けい素 ,  評価