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J-GLOBAL ID：200902263006829093   整理番号：04A0668002

液体合金ターゲットを用いたZnドープGaN薄膜成長におけるPLDメカニズム

Mechanism of PLD using Ga-Zn Liquid Alloy Target for Zn-doped GaN Growth

著者 (4件)： 藤井龍彦 (大阪大 大学院基礎工学研究科) ,  競昌也 (大阪大 大学院基礎工学研究科) ,  益山洋一郎 (大阪大 大学院基礎工学研究科) ,  小林猛 (大阪大 大学院基礎工学研究科)
資料名： 電気学会論文誌 A  (IEEJ Transactions on Fundamentals and Materials)
巻： 124  号： 9  ページ： 823-826  発行年： 2004年09月01日 
JST資料番号： S0808A  ISSN： 0385-4205  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： Ga-Zn液体合金ターゲットを用いたPLD(Pulsed L...

シソーラス用語： *液体金属 ,...

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分類 (2件)： 液体金属の構造  (BK02020P) ,  薄膜一般  (BK14010X)

引用文献 (9件)：

• (1) N. I. Kuznetsov, A. E. Nikolaev, A. S. Zubrilov, Yu. V. Melnik, and V. A. Dmitriev : Appl. Phys. Lett., Vol. 75, p. 3138 (1999)
• (2) H. Sankur, W. J. Gunning, J. DeNatale, and J. F. Flintoff : J. Appl. Phys., Vol. 65, p. 2475 (1989)
• (3) R. F. Xiao, X. W. Sun, Z. F. Li, N. Cue, H. S. Kwok, Q. Z. Liu, and S. S. Lau : J. Vac. Sci. Technol. A, Vol. 15, p. 2207 (1997)
• (4) J. Suzuki, A. Nakamura, K. Mizuno, T. Hosomi, T. Maki, and T. Kobayashi : Proc. Int. Workshop Nitride Semicond. IWN2000 pp. 259-262, iPAP, Japan (2000)
• (5) R. P. van Ingen, R. H. J. Fastenau, and E. J. Mittemeijer : J. Appl. Phys., Vol. 76, p. 1871 (1994)

タイトルに関連する用語 (8件)： 液体合金 ,  ターゲット ,  Zn ,  ドープ ,  GaN ,  薄膜成長 ,  PLD ,  メカニズム