低k二次元周期多孔質シリカ膜における弾性定数と誘電率の理論解析

MIYOSHI H; MATSUO H; OKU Y; TANAKA H; YAMADA K; MIKAMI N; TAKADA S; HATA N; KIKKAWA T

文献

J-GLOBAL ID：200902263798998997 整理番号：04A0255431

低k二次元周期多孔質シリカ膜における弾性定数と誘電率の理論解析

Theoretical Analysis of Elastic Modulus and Dielectric Constant for Low-k Two-Dimensional Periodic Porous Silica Films

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資料名：
巻： 43 号： 2 ページ： 498-503 発行年： 2004年02月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

ULSI層間絶縁膜用の多孔質低誘電率(k)材料について,有限...

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固体デバイス材料 , 誘電体一般

引用文献 (41件)：

1) The International Technology Roadmap for Semiconductors 2001 Edition (Semiconductor Industry Association, 2001).
2) R. D. Miller: Science 286 (1999) 421.
3) A. Jain, S. Rogojevic, W. N. Gill, J. L. Plawsky, I. Matthew, M. Tomozawa and E. Simonyi: J. Appl. Phys. 90 (2001) 5832.
4) C. M. Flannery, T. Wittkowski, K. Jung, B. Hillebrands and M. R. Baklanov: Appl. Phys. Lett. 80 (2002) 4594.
5) S. Lin, C. Jin, L. Lui, M. Tsai, M. Daniels, A. Gonzalez, J. T. Wetzel, K. A. Monning, P. A. Winebarger, S. Jang, D. Yu and M. S. Liang: Proc. 2001 Int. Interconnect Technology Conf., San Francisco, 2001 (IEEE Press, New Jersey, 2001) p. 146.

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