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J-GLOBAL ID：200902265167719916   整理番号：05A0703655

RFマグネトロンスパッタリングにより(001)Si基板上に成長させた様々な方位を持つエピタキシャルPt膜

Epitaxial Pt Films with Different Orientations Grown on (100)Si Substrates by RF Magnetron Sputtering

著者 (6件)： OKAMOTO Shoji (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  WATANABE Takayuki (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  AKIYAMA Kensuke (Kanagawa Industrial Technol. Res. Inst., Kanagawa, JPN) ,  KANEKO Satoru (Kanagawa Industrial Technol. Res. Inst., Kanagawa, JPN) ,  FUNAKUBO Hiroshi (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  HORITA Susumu (Japan Advanced Inst. Sci. and Technol., Ishikawa, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 44  号： 7A  ページ： 5102-5106  発行年： 2005年07月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (111)と(100)の方位を持ったエピタキシャルPt膜を,...

シソーラス用語： ケイ素 ,...
準シソーラス用語： PSZ【セラミック】

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分類 (1件)： 金属薄膜  (BK14030T)

引用文献 (12件)：

• 1) J. F. Scott and C. Paz de Araujo: Science 246 (1989) 1400.
• 2) O. Auciello, J. F. Scott and R. Ramesh: Phys. Today 51 (1998) 22.
• 3) N. Setter: in Piezoelectric Materials in Devices, ed. N Setter (EPFL Swiss Federal Institute of Technology, Lausanne, 2002).
• 4) K. Yamashita, H. Katata, M. Okuyama, H. Miyoshi, G. Kato, S. Aoyagi and Y. Suzuki: Sens. Actuators A 97–98 (2002) 302.
• 5) H. Kueppers, T. Leuerer, U. Schnakenberg, W. Mokwa, M. Hoffmann, T.Schneller, U. Boettger and R. Waser: Sens. Actuators A 97–98 (2002) 680.

タイトルに関連する用語 (6件)： RFマグネトロンスパッタリング ,  Si基板 ,  成長 ,  方位 ,  エピタキシャル ,  Pt