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J-GLOBAL ID：200902265916311643   整理番号：09A1196279

次世代高性能薄膜材料形成法としてのCat-CVD

著者 (2件)： 松村英樹 (北陸先端科学技術大学院大) ,  大平圭介 (北陸先端科学技術大学院大)
資料名： 未来材料  (Expected Materials for the Future)
巻： 9  号： 11  ページ： 30-35  発行年： 2009年11月10日 
JST資料番号： L4328A  ISSN： 1346-0986  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： Catalytic Chemical Vapor Deposition(Cat-CVD:触媒化学気相堆積)法は,原料ガス分子を基板近傍に置かれた触媒体との接触分解反応により分解し,その分解種を基板に輸送することで高品質薄膜を低温の基板上に堆積する,新しい薄膜材料の形成法である。ここでは,この方法による薄膜堆積の原理を説明した後,作られる膜の特徴,作られた膜の応用例を述べ,幅広い産業分野に適用できる未来材料形成法としての可能性を示す。(著者抄録)

シソーラス用語： *薄膜 ,  *性能 ,  *化学蒸着 ,  *触媒反応 ,  接触分解 ,  原理 ,  原料 ,  気体 ,  金属触媒 ,  反応温度 ,  *窒化ケイ素 ,  密度 ,  後処理 ,  赤外吸収スペクトル ,  *発光ダイオード ,  エレクトロルミネセンス ,  *密封 ,  曝露試験 ,  高温 ,  湿度 ,  耐久性 ,  *水蒸気 ,  *透過率 ,  ポリエチレンテレフタレート ,  バリヤ包装
準シソーラス用語： *高性能薄膜材料 ,  *触媒気相堆積 ,  *水蒸気透過率 ,  *有機発光ダイオード

分類 (1件)： 薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

引用文献 (15件)：

• H. Umemoto, K. Ohara, D. Morita, Y. Nozaki, A. Masuda and H. Matsumura: J. Appl. Phys., 91, 1650(2002).
• A. Izumi and H. Matsumura: Jpn. J. Appl. Phys., 41, 4639(2002).
• 石原政道, 和泉亮: エレクトロニクス実装学会誌, 10, 403(2007).
• A. Izumi and H. Matsumura: Appl. Phys. Lett., 71, 1371(1997).
• A. Izumi, S. Sohara, M. Kudo and H. Matsumura: Electrochem. Solid-State Lett., 2, 388(1999).

タイトルに関連する用語 (4件)： 次世代 ,  高性能 ,  薄膜材料 ,  Cat-CVD