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J-GLOBAL ID：200902268467133637   整理番号：08A1222178

プラズマ処理による低誘電率(低k)膜の損傷機構

Damage mechanism in low-dielectric (low-k) films during plasma processes

著者 (3件)： JINNAI Butsurin (Inst. of Fluid Sci., Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN) ,  NOZAWA Toshihisa (Tokyo Electron Technol. Dev. Inst., Inc., 1-8 Fuso-cho, Amagasaki, Hyogo 660-0891, JPN) ,  SAMUKAWA Seiji (Inst. of Fluid Sci., Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 26  号： 6  ページ： 1926  発行年： 2008年11月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 1071-1023  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラズマは低誘電率(低k)膜のエッチング/灰化処理に広く用いられている。しかし,SiOCの様な低k膜はプラズマ照射で傷つき易く,低k膜からのメチル基抽出のように,プラズマ処理中に酷く損傷する。結果として,プラズマ照射は低k膜の誘電率を増加させ,銅/低k膜の相互接続の信頼性を低下させる。以前の研究で,在来のプラズマ処理の代わりに著者らが開発した中性ビーム処理を用いて,高選択性かつ低損傷の低k膜エッチング処理を達成した。今回は,低k膜(多孔質SiOC膜)のプラズマ処理中における損傷機構をプラズマ中のイオン,ラジカルおよび光子の効果を明らかにすることにより調べた。まず,在来のプラズマ処理と中性粒子ビーム処理でエッチされたSiOC膜の損傷を比較した。その結果,プラズマ処理がSiOC膜の深い(深さ100nm以上)ところまで膜の構造を変え,膜の誘電率を増加させるが,中性粒子ビーム処理はSiOC膜の構造を保全することが分かった。さらに,中性粒子ビーム処理と172nmエキシマランプ照射を併用すると,光子照射が膜中のSi-C結合を切断するのでSiOC膜からのメチル基の抽出が促進されることも見出した。これらの結果は光子照射がプラズマ処理中の低k膜の損傷機構に重要な役割を演ずることを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ケイ素化合物 ,  酸化物 ,  炭化物 ,  *誘電体薄膜 ,  誘電率 ,  銅 ,  メタライゼーション ,  相互接続 ,  *プラズマエッチング ,  中性粒子ビーム ,  *照射損傷 ,  信頼性 ,  *光子 ,  放電ランプ ,  超LSI ,  ビーム
準シソーラス用語： エキシマランプ

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  プラズマ応用  (BJ02110K)

タイトルに関連する用語 (3件)： プラズマ処理 ,  低誘電率 ,  損傷