文献

J-GLOBAL ID：200902268673310006   整理番号：05A0340952

二次元周期多孔質シリカ膜の誘電率及び弾性係数に及ぼす間隙サイズ及び間隙位置分布の効果の理論的研究

Theoretical Investigation into Effects of Pore Size and Pore Position Distributions on Dielectric Constant and Elastic Modulus of Two-Dimensional Periodic Porous Silica Films

著者 (3件)： MIYOSHI Hidenori (Assoc. of Super-Advanced Electronics Technol. (ASET), Ibaraki, JPN) ,  HATA Nobuhiro (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  KIKKAWA Takamaro (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 44  号： 3  ページ： 1166-1168  発行年： 2005年03月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元(2D)周期多孔質シリカ膜の間隙サイズ分布(psd)及...

シソーラス用語： 誘電体薄膜 ,...
準シソーラス用語： *シリカ ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=05A0340952&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=G0520B") }}

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  誘電体一般  (BM05010F) ,  固体の機械的性質一般  (BL01021C)

引用文献 (15件)：

• 1) The Int. Technology Roadmap for Semiconductors 2003 Edition (Semiconductor Industry Association, 2003).
• 2) A. Jain, S. Rogojevic, W. N. Gill, J. L. Plawsky, I. Matthew, M. Tomozawa and E. Simonyi: J. Appl. Phys. 90 (2001) 5832.
• 3) C. M. Flannery, T. Wittkowski, K. Jung, B. Hillebrands and M. R. Baklanov: Appl. Phys. Lett. 80 (2002) 4594.
• 4) S. Lin, C. Jin, L. Lui, M. Tsai, M. Daniels, A. Gonzalez, J. T. Wetzel, K. A. Monning, P. A. Winebarger, S. Jang, D. Yu and M. S. Liang: Proc. 2001 Int. Interconnect Technology Conf., San Francisco, 2001 (IEEE Press, New Jersey, 2001) p. 146.
• 5) H. Miyoshi, H. Matsuo, Y. Oku, H. Tanaka, K. Yamada, N. Mikami, S. Takada, N. Hata and T. Kikkawa: Jpn. J. Appl. Phys. 43 (2004) 498.

タイトルに関連する用語 (10件)： 周期 ,  多孔質 ,  シリカ膜 ,  誘電率 ,  弾性係数 ,  間隙 ,  サイズ ,  分布 ,  理論 ,  研究