文献

J-GLOBAL ID：200902269617246695   整理番号：09A0590895

MgOトンネル障壁を用いたシリコン中への電気的スピン注入

Electrical Spin Injection into Silicon Using MgO Tunnel Barrier

著者 (6件)： SASAKI Tomoyuki (TDK Corp., Nagano, JPN) ,  OIKAWA Tohru (TDK Corp., Nagano, JPN) ,  SUZUKI Toshio (Akita Res. Inst. Advanced Technol., Akita, JPN) ,  SHIRAISHI Masashi (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  SUZUKI Yoshishige (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  TAGAMI Katsumichi (TDK Corp., Nagano, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 2  号： 5  ページ： 053003.1-053003.3  発行年： 2009年05月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非局所磁気抵抗測定法を用いてFe/MgOトンネル障壁を介するシリコン中へのスピン注入を観測した。りんドープ絶縁体上シリコン基板上に横方向スピンバルブ構造をもつFe/MgOトンネル障壁接触を作製した。非局所的スキームにおけるスピン注入信号を120Kまで観測したが,これはSiにおいてバンド輸送されるスピンが報告されている最高の値である。そしてスピン拡散長を8Kで約2.25μmと評価した。非局所的電圧の温度依存性および注入電流依存性も調べた。MgOトンネル障壁がシリコン中へのスピン注入のために有効であることを明らかにした。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 磁気抵抗 ,  *トンネル効果 ,  鉄 ,  *酸化マグネシウム ,  *ケイ素 ,  半導体 ,  *注入 ,  素子構造 ,  *ポテンシャル障壁 ,  スピンバルブ
準シソーラス用語： *スピン注入 ,  トンネル障壁

分類 (2件)： 磁性一般  (BM06010M) ,  その他の固体デバイス  (NC03150A)

引用文献 (18件)：

• FIEDERLING, R. Nature. 1999, 402, 787
• OHNO, Y. Nature. 1999, 402, 790
• SINSARP, A. Jpn. J. Appl. Phys. 2007, 46, L4
• MATSUNAGA, S. Appl. Phys. Express. 2008, 1, 091301
• SUGAHARA, S. Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 2307

タイトルに関連する用語 (4件)： MgO ,  トンネル障壁 ,  シリコン ,  スピン注入