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J-GLOBAL ID：200902270362088410   整理番号：07A1007442

連続供給されたGa₂O₃の炭素熱還元窒化によって育成したGaN結晶の評価

著者 (7件)： 三浦章 (北大 大学院) ,  嶋田志郎 (北大 大学院) ,  関口隆史 (NIMS) ,  横山政昭 (HORIBA) ,  溝淵文章 (住友精化) ,  北村寿朗 (産業技術総合研) ,  中島信一 (産業技術総合研)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 68th  号： 1  ページ： 356  発行年： 2007年09月04日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 連続供給 ,  Ga2O3 ,  炭素熱還元 ,  窒化 ,  GaN ,  結晶 ,  評価